【摘 要】
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研究了用简单铜盐通过阴极还原氧化亚铜的电化学行为,讨论了一些工艺因素对 在导电玻片上电沉积Cu2O薄膜的影响,并对所制备的Cu2O薄膜分别用台阶仪、X射线 衍射仪(XRD)、扫描
【机 构】
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华中师范大学物理科学与技术学院纳米科技研究院
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研究了用简单铜盐通过阴极还原氧化亚铜的电化学行为,讨论了一些工艺因素对 在导电玻片上电沉积Cu2O薄膜的影响,并对所制备的Cu2O薄膜分别用台阶仪、X射线 衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)、X射线光电子能谱(XPS)进行表征.得到的较佳工艺 条件为:电势-0.22--0.45V(vs SCE),温度为60℃,pH值为5.5-6.0,(CH3COO)2Cu浓度为 0.015-0.04mol／L.表征结果发现,随池温的升高,晶粒尺寸从0.2μm增加到0.4μm,60℃沉积 的Cu2O薄膜开始具有(111)面择优取向,Cu2O膜纯度高,薄膜表面呈网络多孔结构.
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