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<正>4 Ⅲ-V族化合物电池研发的新动向4.1含Ga In NAs(Sb)晶格匹配的三~五结叠层聚光电池前文介绍在研发与Ga As晶格匹配的1 e V带隙的Ga In NAs材料时遇到了困难,这一问题在2011年终于取得了突破。据Solar Junction公司报道,他们制备了高质量的稀N含量Ga In NAs(Sb)分子束外延材料,并成功研制了Ga In P/Ga As/Ga In NAs(Sb)三结叠层电池。经