【摘 要】
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利用管式PECVD在多晶硅片上获得钝化效果和减反性能优异的双层SiNx∶H薄膜,其中底层和顶层SiNx折射率分别为2.35和2.01,膜厚为17 nm和67 nm.薄膜的折射率通过改变反应气体的S
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利用管式PECVD在多晶硅片上获得钝化效果和减反性能优异的双层SiNx∶H薄膜,其中底层和顶层SiNx折射率分别为2.35和2.01,膜厚为17 nm和67 nm.薄膜的折射率通过改变反应气体的Si/N比进行调控,底层SiNx制备时Si/N比越大,反射率越低,而电池Jsc先增加后下降.反射率曲线、外量子效率(EQE)和电学性能表明,和单层膜相比,双层膜的短波部分(300～650 nm)反射率远低于单层膜;其电池在680～950 nm波段光谱响应较单层膜稍好;电池Uoc和Isc均有较大提升,光电转换效率绝对值提高了0.193％.同时,双层膜电池组件的封装功率损失略低于单层膜电池组件.
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