【摘 要】
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采用射频磁控溅射技术和热退火处理制备了石英衬底的纳米Si镶嵌SiNx（nc-Si/SiNx）薄膜。通过对薄膜的小角度X射线衍射和吸收光谱测试,确定了硅晶粒尺寸和光学带隙。采用Z-扫描技
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采用射频磁控溅射技术和热退火处理制备了石英衬底的纳米Si镶嵌SiNx（nc-Si/SiNx）薄膜。通过对薄膜的小角度X射线衍射和吸收光谱测试,确定了硅晶粒尺寸和光学带隙。采用Z-扫描技术研究了薄膜的三阶非线性光学特性,结果表明薄膜的非线性吸收属于双光子吸收。把nc-Si/SiNx薄膜作为可饱和吸收体插入LD抽运的Nd：YVO4激光器中,实现了1342nm激光的被动调Q,获得51 ns的激光脉冲。理论分析和实验结果表明,由于纳米Si的光学带隙大于1342nm光子能量,所以双光子饱和吸收导致了1342nm激光
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