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前言 InP是最早被制备出来的Ⅲ-Ⅴ族化合物,早在1910年,A.Fhill就合成出InP,但对其性质和制备工艺深入研究,则是1952年以后才开始的。 InP与GaAs一样,不仅是重要的半导体光电材料(例如,它是目前长距离光纤通信中所用激光器,光探测器唯一实用的材料)而且也是重要的微电子材
半绝缘InP单晶及其在微电子器件中的应用
【摘 要】
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前言 InP是最早被制备出来的Ⅲ-Ⅴ族化合物,早在1910年,A.Fhill就合成出InP,但对其性质和制备工艺深入研究,则是1952年以后才开始的。 InP与GaAs一样,不仅是重要的半导体光电
【机 构】
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北京有色金属研究总院,国瑞电子材料有限责任公司
【出 处】
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中国集成电路
【发表日期】
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2002年11期
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