退火对硅锗薄膜上低维结构的PL光谱的影响

来源 :四川大学学报:自然科学版 | 被引量 : 0次 | 上传用户:jw_wanghaibing
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采用激光辐照的方法在硅锗薄膜样品表面生成微米级小孔,用高精度扫描电镜观察孔内结构,发现片状的纳米结构.用荧光光谱仪测其光致荧光谱,在705nm处出现较强的光致荧光谱(PL).对片状结构在800℃下进行退火20min后,其PL光谱明显蓝移至575nm.退火40min后,在725nm处有较宽的PL光谱,同时,在606nm处有一尖锐的PL光谱.利用量子受限和纳晶与氧化物的界面态综合模型解释PL光谱的产生.
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