【摘 要】
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利用微区Raman散射技术研究了MOCVD-GaxIn1-xAsyP1-y／InP DBRs结构的晶格振动。在InP衬底上生长的与InP晶格匹配的四元合金Ga0.4In0.6As0.85P0.15中包含三种主要的振动模式，分
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利用微区Raman散射技术研究了MOCVD-GaxIn1-xAsyP1-y／InP DBRs结构的晶格振动。在InP衬底上生长的与InP晶格匹配的四元合金Ga0.4In0.6As0.85P0.15中包含三种主要的振动模式，分别归属于类InAs、类GaAs和类GaInP。随着Ga0.4In0.6As0.85P0.15，与InP交替生长构成的DBRs结构周期数增加，Raman散射谱中三种振动模式的谱线线型发生明显变化，类InAs振动强度不变，谱线窄化，峰值位置向低频方向移动，类GaAs和类GaInP振动强度逐
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