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应用线性组合算符和微扰法研究了电子自旋对SiC半导体性质的影响。基态能量E0^＋（对应于电子自旋量子数为正）和E0^-（对应于电子自旋量子数为负）都随磁场增加而线性减少：在0T时，E0^＋和E0^-都为-76．24meV；在25T时，E0^＋和E0^-分别为-68．50meV和71．39meV。自旋能量与E0^＋和E0^-之比P0^＋和P0^-都随磁场增加而快速增加：在0T时，P0^＋和P0^-都为0；在20T时，P0^＋为0．627；在25T时，P0^-为0．453。自旋能量与Landau基态能量之比P