【摘 要】
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年12月中旬在旧金山举行的国际电子器件会议(IEDM)上,专家们认为,随着硅性能提升的减慢,半导体工业需要集中研究新的沟道材料,并且努力降低寄生电容。
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年12月中旬在旧金山举行的国际电子器件会议(IEDM)上,专家们认为,随着硅性能提升的减慢,半导体工业需要集中研究新的沟道材料,并且努力降低寄生电容。
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