高电源抑制比和高阶曲率补偿带隙电压基准源

来源 :微电子学 | 被引量 : 0次 | 上传用户:atom1999
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基于分段线性补偿原理,提出了一种新的带隙基准源高阶曲率补偿方法,使电压基准源的温度特性曲线在整个工作温度范围内具有多个极值,显著提高了电压基准源的精度。采用0.5μm CMOS工艺模型进行仿真。结果表明,在-40℃~135℃的温度范围内,电压基准源的温度系数为5.8×10-7/℃。设计了具有提高电源抑制比功能的误差放大器,在5 V电源电压下,电压基准源的电源抑制比在低频时-为95.4 dB,在1 kHz时为-92.4 dB。 Based on the principle of piecewise linear compensation, a new high-order curvature compensation method for band-gap reference is proposed. The temperature characteristic curve of the voltage reference has multiple extremums over the entire operating temperature range, which significantly improves the voltage reference Accuracy. 0.5μm CMOS process model simulation. The results show that the temperature coefficient of voltage reference is 5.8 × 10-7 / ℃ in the temperature range of -40 ℃ ~ 135 ℃. An error amplifier has been designed with a power supply rejection ratio of 95.4 dB at low frequencies and -92.4 dB at 1 kHz at a 5 V supply voltage.
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