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采用sol-gel（溶胶-凝胶）法在Pt/Ti/SiO_2/Si基底上分别制备了厚度为400 nm、600 nm、800 nm的PZT（锆钛酸铅,Zr/Ti=52/48）薄膜,研究了厚度对薄膜介电性能与铁电性能的影响。通过对薄膜的铁电性能与介电性能进行测试,分析了不同厚度薄膜的剩余极化强度、介电常数与介电损耗,进一步分析了薄膜的介电调谐性能。实验结果表明,薄膜的介电常数与介电损耗随薄膜厚度的增大而增加;厚度为600 nm的薄膜具有最好的介电调谐性能与铁电性能。