【摘 要】
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采用基片加热和后期热处理的手段使ITO薄膜结晶和调整其组织结构来降低电阻的方法,已经被广泛应用于在玻璃等基体上制备ITO薄膜。但是随着不耐高温的柔性基体的广泛使用,ITO
【机 构】
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采用基片加热和后期热处理的手段使ITO薄膜结晶和调整其组织结构来降低电阻的方法,已经被广泛应用于在玻璃等基体上制备ITO薄膜。但是随着不耐高温的柔性基体的广泛使用,ITO薄膜低温生长已经成为一个重要的研究课题。为此,本研究探讨室温等离子体辅助条件下,ITO薄膜沉积生长过程,以期为上述问题的解决提供理论依据。研究结果表明:等离子辅助可以有效控制ITO薄膜的结晶程度和晶粒尺寸以及晶界结构,在优化条件下,在PET基体上制备出电阻率为1.1×10-3Ω.cm的ITO薄膜。
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