【摘 要】
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目的 研究离子源功率对a-C：H（Al）薄膜结构及性能的影响。方法 采用阳极离子源离化CH_4气体,中频磁控溅射Al靶,通过改变离子源功率,在n（100）型单晶硅及16Mn Cr5钢基体上沉积a-C：H（Al）
【机 构】
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中南大学材料科学与工程学院,广东省新材料研究所现代材料表面工程技术国家工程实验室广东省现代表面工程技术重点实验室
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目的 研究离子源功率对a-C：H（Al）薄膜结构及性能的影响。方法 采用阳极离子源离化CH_4气体,中频磁控溅射Al靶,通过改变离子源功率,在n（100）型单晶硅及16Mn Cr5钢基体上沉积a-C：H（Al）薄膜。利用扫描电镜、维氏显微硬度计、摩擦磨损试验机和表面轮廓仪等设备对a-C：H（Al）薄膜的结构及性能进行表征。结果 薄膜的硬度均在1000HV以上。摩擦系数较低,为0.05~0.15。离子源功率为450 W时,薄膜摩擦系数和结合力均出现了最优值,分别为0.05和21.46 N。离子源功率在550
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