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利用分子束外延方法（MBE）在GaAs（001）衬底上外延生长了GaSb薄膜,利用高分辨透射电子显微镜（HRTEM）、原子力显微镜（AFM）、Hall效应（HallEffect）和低温光荧光谱（LTPL）等手段对薄膜的晶体质量、电学性能和光学质量进行了研究。发现直接生长的GaSb膜表面平整,空穴迁移率较高。引入GaSb/AlSb超晶格可有效阻断进入GaSb外延层的穿通位错,对应的PL谱强度增强,材料的光学质量变好。