【摘 要】
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采用电化学腐蚀方法分别在HF＋异丙醇（IPA）和HF＋IPA＋十六烷基三甲基氯化铵（CATC）溶液中制备多孔硅结构阵列,分别讨论HF酸浓度、CTAC、刻蚀电流、刻蚀时间对多孔硅阵列的形貌的影响。
【机 构】
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中国工程物理研究院核物理与化学研究所,四川大学原子核科学技术研究所,洛阳船舶材料研究所
【基金项目】
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国家自然科学基金项目（11205107）, 教育部博士点基金项目（20120181120063）, 辐射物理及技术教育部重点实验室开放基金项目（2011-6,2011-7）
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采用电化学腐蚀方法分别在HF＋异丙醇（IPA）和HF＋IPA＋十六烷基三甲基氯化铵（CATC）溶液中制备多孔硅结构阵列,分别讨论HF酸浓度、CTAC、刻蚀电流、刻蚀时间对多孔硅阵列的形貌的影响。结果表明：在质量分数40%HF,H2O,IPA的体积比为7∶4∶29时得到优化的多孔硅阵列;腐蚀电流密度越大,孔壁越薄;初始的腐蚀会向外扩展直到形成的孔径达近10μm,在窗口8μm、间距5μm的硅片上腐蚀的孔壁表面出现小孔。CTAC的加入会使孔壁上刻蚀出小孔,并随着CTAC的增加,小孔的孔径减小,数量增加。
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