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雪崩半导体方程的整体弱解及其整体吸引子
雪崩半导体方程的整体弱解及其整体吸引子
来源 :天津师范大学学报:自然科学版 | 被引量 : 0次 | 上传用户:visualerren
【摘 要】
:
研究半导体具雪崩效应模型的混合初边值问题. 在初值时,证明了整体弱解的存在性,并证明存在一个整体吸引子.
【作 者】
:
孙福芹
吴爱弟
【机 构】
:
天津职业技术师范学院基础部
【出 处】
:
天津师范大学学报:自然科学版
【发表日期】
:
2003年1期
【关键词】
:
半导体方程
混合边值
整体吸引子
semiconductor equation
mixed boundary value
global attractor
【基金项目】
:
天津市高等学校科技发展基金
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研究半导体具雪崩效应模型的混合初边值问题. 在初值时,证明了整体弱解的存在性,并证明存在一个整体吸引子.
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