【摘 要】
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采用sol-gel方法在Pt（111）/Ti/SiO2/Si（100）衬底上制备出了（100）择优取向的BiFeO3薄膜.XRD研究表明,600～650℃退火的薄膜结晶较好.AFM形貌显示,650℃退火的薄膜中等轴状晶粒大小均匀
【机 构】
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空军第一航空学院物理教研室,青岛大学纤维新材料与现代纺织国家重点实验室培育基地
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采用sol-gel方法在Pt（111）/Ti/SiO2/Si（100）衬底上制备出了（100）择优取向的BiFeO3薄膜.XRD研究表明,600～650℃退火的薄膜结晶较好.AFM形貌显示,650℃退火的薄膜中等轴状晶粒大小均匀（直径100～150nm）,薄膜较为致密.电学性能测量结果表明,650℃退火、厚度为840nm的薄膜的2Pr值为2.8mC/cm2;在50kV/cm外加电场下,漏电流为2.7×10-5 A/cm2.电流-电压特性显示,在欧姆区之上,薄膜的主要导电机制为波尔-弗兰克尔发射导
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