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对电极经过优化设计的场畸变间隙开关的可控特性和击穿时延进行了较深入的研究.结果表明:当触发电极距下电极的距离为主电极距离的1/4和1/3处时,最低可靠击穿电压只有自击穿电压的55.8?%和74.5?%.适当下移触发电极可明显增大可控击穿电压范围.开关击穿时延受主间隙电压影响较大,触发电压对开关击穿时延的影响不显著.