【摘 要】
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作者制成一种GaN电致发光器件,外量子效率接近1%(黄)和0.3%(绿)。器件的发光区由两个掺锌层组成,n型层和半绝缘层(1000),再加二个金属的接触电极。产生电致发光所加的电压典型
【机 构】
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法国应用物理与电子学实验室,法国应用物理与电子学实验室
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作者制成一种GaN电致发光器件,外量子效率接近1%(黄)和0.3%(绿)。器件的发光区由两个掺锌层组成,n型层和半绝缘层(1000),再加二个金属的接触电极。产生电致发光所加的电压典型值为5—10伏,但也曾低到2.5—4伏(金属为正)。作者提出一个模型解释这种结构的注入机理;涉及杂质带的电导和从n侧向i侧的电子注入。观察到的I(V)特性符合夫仑克耳规律。
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