量子垒结构对Si衬底GaN基绿光LED光电性能的影响

来源 :发光学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：coolyina

【摘要】

：

在Si衬底上外延生长了3种不同量子垒结构的绿光外延片并制作成垂直结构芯片,3种量子垒结构分别为Ga N、In0.05Ga0.95N/Al0.1Ga0.9N/In0.05Ga0.95N、In0.05Ga0.95N/Ga N/In0.0

【作者】

：

汤英文熊传兵井晓玉

【机构】

：

闽南师范大学物理与信息工程学院,南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心

【出处】

：

发光学报

【发表日期】

：

2016年3期

【关键词】

：

垒结构绿光LED 电致发光硅衬底 MOCVD quantum barrier structure green LED electroluminescence

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在Si衬底上外延生长了3种不同量子垒结构的绿光外延片并制作成垂直结构芯片,3种量子垒结构分别为Ga N、In0.05Ga0.95N/Al0.1Ga0.9N/In0.05Ga0.95N、In0.05Ga0.95N/Ga N/In0.05Ga0.95N,对应的3种芯片样品为A、B、C,研究了3种样品的变温电致发光特性。垒结构的改变虽然对光功率影响很小,但是在光谱性能上会引起显著改变,结果如下：在低温（13 K）大电流下,随着电流密度的增大,样品的EL谱峰值波长蓝移更为显著,程度依次为B〉A≈C;在高温（300

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