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飞兆半导体公司推出全新的FDB2614（200V）和FDB2710（250V）N沟道MOSFET，这两款产品经专门设计，可为等离子体显示板（PDP）应用提供系统效率和优化的占位空间。利用飞兆半导体专利的PowerTrench^TM工艺技术，这些MOSFET较市场上同类型器件提供最低的导通阻抗RDS（on）（FDB2614的典型值为22．9mΩ；FDB2710的典型值为36．3mΩ）。