【摘 要】
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主要是寻找一种优化设计1000V的VDMOS的方法.通过分析VDMOS导通电阻及关态击穿电压的理论模型,找到影响器件静态特性的主要参数:外延电阻率及厚度、栅的长度、p-body结深,针
【机 构】
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东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心
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主要是寻找一种优化设计1000V的VDMOS的方法.通过分析VDMOS导通电阻及关态击穿电压的理论模型,找到影响器件静态特性的主要参数:外延电阻率及厚度、栅的长度、p-body结深,针对以上主要参量的模拟,最终达到优化设计1000V的器件.通过用Rat=BV/Rdss来衡量优化程度,可以得到用穷举法模拟的相同结果并且模拟更简便、快捷.最终得到耐压1080V,特征导通电阻为3.41876E4mΩ·mm2的优化器件.
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