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从芯片表面的红外热像图中提取出了发射区热像图,提出了一种定量描述晶体管结温不均匀性的新方法,即发射区热谱分析方法.发射区热谱是发射区归一化面积的温度谱,也就是发射区温度所占有的发射区归一化面积对温度的直方图.本文提供了由红外热像图导出发射区热谱的过程及结果.
晶体管发射区归一化面积的温度谱
【摘 要】
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从芯片表面的红外热像图中提取出了发射区热像图,提出了一种定量描述晶体管结温不均匀性的新方法,即发射区热谱分析方法.发射区热谱是发射区归一化面积的温度谱,也就是发射区
【机 构】
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山东大学物理与微电子学院,中国电子科技集团公司第十三研究所
【出 处】
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半导体技术
【发表日期】
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2003年12期
【基金项目】
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国家自然科学基金
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