【摘 要】
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本文提出了光触发和光猝灭的静电感应可控硅(LTQ SI)集成结构,并以SI可控硅和静电感应品体管(SIT)相结合的工艺技术将其制造出来了。该器件由一个隐埋栅光触发(LT)SI可控硅和
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本文提出了光触发和光猝灭的静电感应可控硅(LTQ SI)集成结构,并以SI可控硅和静电感应品体管(SIT)相结合的工艺技术将其制造出来了。该器件由一个隐埋栅光触发(LT)SI可控硅和一个p沟表面(?)静电感应光电晶体管(SIPT)组成。在阳极电流IA为2A(600A/cm~2沟道电流密度)对,光开关的模拟电压VA为250V,导通时间为1.2μs,截止延迟时间为1.2μs时,触发功率为PLT=8.8mW/cm~2(150μw)和猝灭功率为PLG=8.8mW/cm~2(83μW)。集成LTQ SJ可控硅是一个
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