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本文系统地研究了ＢＦ２＋注入硅栅ＰＭＯＳＦＥＴ阈值电压漂移与γ辐照总剂量之间的关系，深入地探讨了ＢＦ２＋注入抗γ辐照加固的机理。结果表明，ＢＦ２＋注入是一种抗γ辐照加固的新方法。
BF2＋注入硅栅PMOSFETγ辐照效应
【摘 要】
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本文系统地研究了ＢＦ２＋注入硅栅ＰＭＯＳＦＥＴ阈值电压漂移与γ辐照总剂量之间的关系，深入地探讨了ＢＦ２＋注入抗γ辐照加固的机理。结果表明，ＢＦ２＋注入是一种抗γ辐照加固的新方法。
【机 构】
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西安电子科技大学微电子所,骊山微电子研究所
【出 处】
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电子学报
【发表日期】
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1995年02期
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