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核电子学前端噪声是设计核电子学前端必须考虑的重要问题，如何确定核电子学前端噪声界限，提高信噪比是前端设计必须关注的问题。从核电子学前端系统（探测器（光电倍增管）、前置放大器和滤波成形电路）入手，通过2个不等式建立了核电子学前端系统噪声上界、下界问题和核电子学前端噪声模型，同时给出核电子学前端系统噪声上界。研究表明，电荷灵敏前置放大器噪声下界与频带无关；核电子学前端系统噪声上界与给定条件下信号频带宽度成正比。