论文部分内容阅读
超高速通信集成电路必须满足高速率、低成本、低功耗和低噪声等指标要求。因为本文介绍了SiGe HBT的一些重要特性，SiGe HBT和Si基工艺兼容，能有效的将CMOS电路集成到一起，具有和Si工艺一样的低成本，而性能指标却能和GaAs、InP等媲美,笔者用IBM公司0．5μm SiGe BiCMOS HBT工艺设计了一个10Gbit／s的光接收机限幅放大器。