直流/射频反应磁控溅射法制备W掺杂VOx薄膜的工艺和性能

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【摘要】

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用直流/射频反应磁控共溅射法分别在玻璃和单晶硅片基底上制备VOx薄膜和W掺杂VOx薄膜,经退火后,对薄膜进行电阻-温度特性、XRD、表面形貌等测试.结果表明:当溅射气压为1.5 Pa

【作者】

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聂竹华李合琴都智储汉奇宋泽润

【机构】

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合肥工业大学,材料科学与工程学院,安徽合肥230009中国电子科技集团公司第43研究所,安徽合肥,230022;

【出处】

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真空

【发表日期】

：

2011年4期

【关键词】

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直流/射频磁控共溅射 VOx薄膜 W掺杂相变温度基底

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用直流/射频反应磁控共溅射法分别在玻璃和单晶硅片基底上制备VOx薄膜和W掺杂VOx薄膜,经退火后,对薄膜进行电阻-温度特性、XRD、表面形貌等测试.结果表明:当溅射气压为1.5 Pa、氧氩比为0.8:25 sccm、V靶采用100 W直流电源、W靶10 W射频电源共溅射制备的W掺杂VOx薄膜,经Ar气氛中450℃退火2h后,薄膜相变温度由未掺杂时的68℃降低到40℃左右.XRD衍射结果表明部分W原子进入了VOx晶格；另外单晶硅片上制备的VOx薄膜的电阻温度系数和电阻值均大于玻璃基片上制备的薄膜.

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