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测试了用水热技术制备的硅纳米孔柱阵列（silicon nanoporous pillar array（简称Si-NPA））的场致发射性能。测试结果显示，Si-NPA的开启电场为约1．48V／um；在5V／um的外加电场下，其发射电流密度为28．6uA／cm^2；在外加电场4．4V／um时，其电流浮动率为13％。Si—NPA发射性能增强的原因是由于其独特的表面形貌和结构所致。