GaN HEMT高效功率放大器电路温度特性研究

来源 :南开大学学报(自然科学版) | 被引量 : 0次 | 上传用户:hurusato09
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
研究了GaN HEMT开关功率放大器的交流电流和微波性能随温度的变化.研究结果表明,GaN HEMT的高温退化将导致开关功放工作电流及小信号增益(S_(21))随温度升高逐渐下降,其中GaN HEMT的电压与电容特性的温度变化和膝点电压的高温退化将影响开关功放输出阻抗匹配.在120℃时,开关功放大信号状态下的交流电流退化更明显;同时由于高温退化所导致的阻抗失配,功放的S_(21)增益和输出功率会进一步下降. The change of AC current and microwave performance with temperature of GaN HEMT switching power amplifier is studied.The results show that the high temperature degradation of GaN HEMT will cause the operating current and the small signal gain (S 21) of the switching power amplifier to decrease gradually with increasing temperature, Among them, the temperature change of voltage and capacitance of GaN HEMT and the high temperature degeneration of knee voltage will affect the output impedance matching of switching power amplifier.At 120 ℃, the AC current degeneration under switching amplifier large signal is more obvious; meanwhile, due to the degradation of high temperature, Impedance mismatch, amplifier S_ (21) gain and output power will decline further.
其他文献
针对日益复杂的电子设备电磁兼容设计,提出基于信号完整性与电源完整性的PCB电磁兼容协同仿真方法。在实际仿真应用中,使用PCB电磁兼容协同仿真方法从降低电源平面阻抗、优化
通过双温模型研究了飞秒激光照射单层银薄膜和银/金、银/铜双层金属薄膜时的热行为,计算获得了相应电子温度和晶格温度随着时间和空间的分布。计算结果表明,双层金属结构能改
研究了SC-1清洗过程对重掺硼和轻掺硼硅片表面颗粒、微粗糙度的影响及其清洗后硅片表面化学组态分布,采用表面颗粒激光扫描仪、原子力显微镜及X射线光电子能谱(XPS)对重掺硼