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基于第一性原理方法计算,通过在g-C3N4中掺杂C、B和N原子，预测了四种元素均匀分布的B-C-N三元单层材料，除了B4-C3N4单层材料是一个具有1.18eV带隙的半导体，其余三种C-B-N三元单层材料都是金属材料，其中，B3C-C3N4是铁磁金金属，其净磁矩为0.57μB/原胞，可用于构建自旋电子器件材料，计算的形成能显示B-C-N三元体系具有较高的热稳定性。