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随着太阳能电池技术的发展,SE+PERC工艺已经全面替代原始的PERC工艺,成为晶硅太阳能电池主流工艺路线.相比原始的PERC工艺,SE+PERC工艺增加了激光重掺杂流程,本文着重研究不同掺杂激光参数对硅片表面的损伤以及电性方面的影响,结果表明:初始扩散方块电阻150Ω 下,掺杂激光功率70％、光斑重叠率30％、光斑大小90μm～95μm时掺杂效果较佳,太阳电池转换效率提升明显.