掺铜ZnS纳米材料的制备及光学性质

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:zhongguoidc
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介绍了在聚乙烯醇衬底中利用离子络合法制备未掺杂和掺铜的 Zn S纳米微粒 .TEM图表明 Zn S纳米微粒较均匀地分布在 PVA衬底上 ,粒径在 1~ 10 nm,且具有类似体材料的立方结构 .与未掺杂 Zn S相比 ,掺铜 Zn S的紫外 -可见吸收光谱没有明显的变化 ;但 PL 光谱的发射峰却从 4 5 0 nm移到了 4 80 nm左右 ,这可能是由于 Zn S的导带和 Zn S禁带中铜的能级 T2 之间的跃迁造成的 In this paper, the preparation of undoped and Cu-doped ZnS nanoparticles in polyvinyl alcohol (PVA) substrate was studied by TEM, which shows that the ZnS nanoparticles are uniformly distributed on the PVA substrate with a particle size of 1 ~ 10 nm, and has a cubic structure with similar bulk materials. Compared with undoped ZnS, there is no obvious change in the UV-visible absorption spectrum of copper-doped ZnS; however, the emission peak of PL spectrum shifts from 450 nm to 4 About 80 nm, which may be due to the transition between the energy level T2 of copper in the conduction band of Zn S and Zn S band
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