【摘 要】
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研究了ZnO-Bi2O3-Yb2O3基压敏陶瓷在900℃至1050℃温度范围内的显微组织和电学性能变化.结果表明,随着烧结温度的升高,电容效应从0.460 nF降低到0.321 nF.此外,压敏电阻的晶
【机 构】
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Department of Electrical & Electronics Engineering, CEG Campus, Anna University, Chennai, India
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研究了ZnO-Bi2O3-Yb2O3基压敏陶瓷在900℃至1050℃温度范围内的显微组织和电学性能变化.结果表明,随着烧结温度的升高,电容效应从0.460 nF降低到0.321 nF.此外,压敏电阻的晶粒大小从6.8μm增大到9.8μm.这种小的晶粒使样品在900℃烧结时获得更好的电压梯度,约为895 V/mm,而当烧结温度升高到1050℃时,电压梯度迅速下降到410 V/mm.另外,非线性指数增加到最大值36.0,泄漏电流减少到0.026 mA/cm2.然而,随着温度的升高,压敏电阻的密度从5.41 g/cm3降低到5.24 g/cm3.在此基础上,考察了压敏电阻电容和高压梯度的影响,从而提高了压敏电阻组件在侵入纳秒瞬态下从非导电态转变到导电态的转变速度.
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