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SanSuny电子公司表示在ZopZ年实现0.13pm工艺技术,并达到千兆位芯片的水平,比预期提早3-4年。该技术包括光刻工艺,高效晶体管制造工艺和三层金属布线工艺。在一块只有拇指甲大小面积的单片4GbDRAM芯片上将容纳40亿位信息或相当于32000页标准报纸的信息量。该新技术可望降低较低容量DRAM成本。由于采用超微技术,对于IGbDRAM而言,SanSully公司将能制造出的电路量比采用0.18Urn工艺技术制造出的多刀叽。该公司采用了新的条宽技术,已成功地生产出了0.13pm技术的16MbDRAM