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采用λ／２的光束复制出了更高分辨率极限的线间图形，它将电路图形的ＣＤ尺寸极限推进到λ／４，当采用１９３ｎｍ光源曝光时，ＣＤ尺寸为５０ｎｍ以下。干涉光刻技术（ＩＬ）探讨了这种周期性图形的最终极限。影像干涉光技术未来的发展，将使光学方法１００ｎｍ 下的电路图形成为可能。
影干涉光刻技术
【摘 要】
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采用λ／２的光束复制出了更高分辨率极限的线间图形，它将电路图形的ＣＤ尺寸极限推进到λ／４，当采用１９３ｎｍ光源曝光时，ＣＤ尺寸为５０ｎｍ以下。干涉光刻技术（ＩＬ）探讨了这种周期性图形的最终极限。影像干涉光技术
【机 构】
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美国新墨西哥州大学高技术材料中心
【出 处】
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电子工业专用设备
【发表日期】
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1998年4期
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