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在该研究工作中，利用该所生产的ＳｉＧｅ材料，研制ＳｉＧｅ沟道Ｐ－ＭＯＳＦＥＴ器件。初步的研究结果表明，ＳｉＧｅ沟道ＰＭＯＳＦＥＴ器件的跨导比硅沟道ＰＭＯＳＦＥＴ器件的跨导高。如果在器件工艺采取进一步的改进措施，制作性能更好的ＳｉＧｅ ＰＭＯＳＦＥＴ是完全可能的。
SiGe沟道P-MOSFET器件的研究
【摘 要】
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在该研究工作中，利用该所生产的ＳｉＧｅ材料，研制ＳｉＧｅ沟道Ｐ－ＭＯＳＦＥＴ器件。初步的研究结果表明，ＳｉＧｅ沟道ＰＭＯＳＦＥＴ器件的跨导比硅沟道ＰＭＯＳＦＥＴ器件的跨导高。如果在器件工艺采取进一步的改进措施，制作性能更好的ＳｉＧｅ ＰＭＯＳＦＥＴ是完全可能
【机 构】
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产业部电子二十四所模拟集成电路国家重点实验室
【出 处】
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第十一届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
【发表日期】
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1999年9期
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