【摘 要】
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采用真空蒸发镀膜的方法制备了ITO/TPD（30nm）/Alq3（40nm）/LiF/Al结构的有机发光器件,讨论了Alq3的沉积速率和缓冲层LiF的厚度对器件光电性能的影响。结果表明：Alq3膜的沉积速率为0
【机 构】
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景德镇陶瓷学院机电学院,景德镇陶瓷学院信息学院
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采用真空蒸发镀膜的方法制备了ITO/TPD（30nm）/Alq3（40nm）/LiF/Al结构的有机发光器件,讨论了Alq3的沉积速率和缓冲层LiF的厚度对器件光电性能的影响。结果表明：Alq3膜的沉积速率为0.2nm/s时所形成的器件光电性能最好,启亮电压为10V,最大发光效率为2.58cd/A;不同厚度LiF层的注入,使器件的光电性能有了不同程度的改善,LiF层厚度为2nm时效果最佳,启亮电压降至7V,亮度提高了1345cd/m2,最大发光效率达4.4cd/A。
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