体硅高压LDMOS器件二维温度分布模型

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【摘要】

：

体硅高压LDMOS器件,在不同工作方式下,自身的发热情况也不同.本文通过解热传导方程,研究了体硅N-LD-MOS器件准二维温度分布模型.通过该模型,分析了体硅高压N-LDMOS器件工作在

【作者】

：

王钦孙伟锋刘侠杨东林

【机构】

：

东南大学国家ASIC系统工程技术研究中心

【出处】

：

电子器件

【发表日期】

：

2007年3期

【关键词】

：

体硅LDMOS 自热温度分布 Bulk-silicon LDMOS self-heating temperature distribution

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体硅高压LDMOS器件,在不同工作方式下,自身的发热情况也不同.本文通过解热传导方程,研究了体硅N-LD-MOS器件准二维温度分布模型.通过该模型,分析了体硅高压N-LDMOS器件工作在线性区与饱和区时温度的分布,器件各个部分自热引起的温度升高以及其在不同宽度的高压脉冲作用下,N-LDMOS器件的温度分布变化情况.

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