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研究了国产结构参数近似的SiGeHBT与Si BJT在^60Coγ射线辐照前和不同剂量辐照后性能的变化，并作了比较。辐照后集电极电流Ic变化很小，基极电流Ib明显增大，表明辐照后电流增益的下降主要是由于Ib的退化所导致。当辐照剂量达到10kGy（Si）时，SiGe HBT和Si BJT的最大电流增益分别下降为77％和55％，表明了SiGe HBT具有比Si BJT更好的抗了射线辐照性能。对辐射损伤机理进行了探讨。