基于GaAs pHEMT 2.5～4.3 GHz驱动功率放大器芯片设计

来源 :重庆邮电大学学报（自然科学版） | 被引量 : 0次 | 上传用户：tta86

【摘要】

：

为了实现低噪声、高线性度、中功率的指标特性,设计了一款基于GaAs pHEMT工艺的2.5～4.3 GHz驱动功率放大器(power amplifier,PA),该PA设计采用共源共栅级驱动共源极放大器的双级放大结构,其中共源共栅级驱动放大器可实现良好的隔离度,采用负反馈技术实现输入阻抗匹配和级间阻抗匹配,选取共源极放大器实现高线性度指标.经过流片加工后,实测结果显示,该PA在2.5～4.3 GHz频段可实现25.5±1 dB小信号增益,可以满足5G无线通信系统中Sub-6G频段的典型驱动功率放大器的指标

【作者】

：

林倩胡单辉邬海峰陈思维

【机构】

：

青海民族大学物理与电子信息工程学院,西宁810007;成都嘉纳海威科技有限责任公司,成都610073

【出处】

：

重庆邮电大学学报（自然科学版）

【发表日期】

：

2022年1期

【关键词】

：

GaAs pHEMT MMIC PA 共源共栅负反馈高增益

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