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安森美半导体日前推出8款新型N沟道和P沟道、低压沟道MOSFET。这些器件降低了漏极和源极之间的电阻(RDS（on）)，整体电源电路效率比其他同类封装的解决方案提高30％。
安森美推出8款新型低压沟道MOSFET
【摘 要】
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安森美半导体日前推出8款新型N沟道和P沟道、低压沟道MOSFET。这些器件降低了漏极和源极之间的电阻(RDS（on）)，整体电源电路效率比其他同类封装的解决方案提高30％。
【出 处】
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电子测试：新电子
【发表日期】
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2005年3期
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