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在室温下用化学气相沉积法在硅片表面生长了大面积的ＳｉＯ２膜。用几种方法测试了该膜的组成和特性，表明具有半导体绝缘膜的良好质量，从而有潜在的应用前景。
一种在硅片上生长SiO2膜的简易方法
【摘 要】
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在室温下用化学气相沉积法在硅片表面生长了大面积的ＳｉＯ２膜。用几种方法测试了该膜的组成和特性，表明具有半导体绝缘膜的良好质量，从而有潜在的应用前景。
【机 构】
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湛江师范学院化学系
【出 处】
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湖北化工
【发表日期】
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1999年3期
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