【摘 要】
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本文叙述了利用多晶硅做栅电极的绝缘栅场效应晶体管集成电路的工艺和特性。在概述硅栅工艺特性之后,还评述了硅-二氧化硅-硅系统的某些基本特性,制造硅栅器件的工艺步骤,以
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本文叙述了利用多晶硅做栅电极的绝缘栅场效应晶体管集成电路的工艺和特性。在概述硅栅工艺特性之后,还评述了硅-二氧化硅-硅系统的某些基本特性,制造硅栅器件的工艺步骤,以及所制得器件的电特性。利用具有译码逻辑电路的八个通道的3705型多重开关对硅栅工艺与一般工艺进行比较。给出了硅栅工艺的设计考虑和某些设计样品。
This article describes the process and characteristics of an insulated gate field effect transistor integrated circuit using polysilicon as a gate electrode. After an overview of the silicon gate process characteristics, some basic characteristics of the silicon-silicon dioxide-silicon system, the process steps of fabricating the silicon gate device, and the electrical characteristics of the fabricated device are also reviewed. The gate-to-gate process is compared to the typical process using a 3705 multi-switch with eight channels of decode logic. The design considerations for the silicon gate process and some design samples are given.
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