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本文利用Er和硅离子共注入热氧化SiO2薄膜的方法制备出Er离子掺杂的含纳米硅微晶的SiO2发光薄膜，在此基础上制备出ITO／SiON／Si-rich SiO2：Er／Si MOS结构电致发光器件，比较研究了硅微晶密度的变化对于MOS结构的电致发光和光致发光特性的影响。随着纳米硅微晶的增多，Er离子在1．54μm处的红外光致发光显著增强，显示出纳米硅微晶对Er离子光致发光的敏化作用。相反，对于电致发光来说，增加纳米硅微晶数量的同时也增加了SiO2薄膜中的电子俘获陷阱，电子在纳米硅微晶之间的隧穿降低了过热电