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用卤素钨灯作辐射热源，对超薄ＳｉＯ２进行快速热氮化（ＲＴＮ）制备了ＳｉＯｘＮｙ膜，研究了不同ＲＴＮ条件下制备的ＳｉＯｘＮｙ样品的ＡＥＳ测量的氮纵向分布。研究结果表明，在较低的温度下（〈９００℃）氮化速率是缓慢的，而在界面处因应变键容易被打破，速率稍快可形成氮峰。当温度高于９００℃时，氮化速率加剧，分别形成表面和界面两个氮峰。基于研究分析的结果，意图提出一种描述快速热氮化超薄ＳｉＯ２的微观机理。