【摘 要】
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采用传统的固相烧结法制备了三元系Pb0.82Sr0.13Ba0.05(Sb1/3Nb2/3)0.02(Zr1/2Ti1/2)0.98O3-wBi2O3（PSN-PZT-wBi）压电陶瓷,并研究了Bi3+掺杂对压电陶瓷电性能的影响。结果表明,
【机 构】
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贵州振华红云电子有限公司,中国振华（集团）新云电子元器件有限责任公司
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采用传统的固相烧结法制备了三元系Pb0.82Sr0.13Ba0.05(Sb1/3Nb2/3)0.02(Zr1/2Ti1/2)0.98O3-wBi2O3（PSN-PZT-wBi）压电陶瓷,并研究了Bi3+掺杂对压电陶瓷电性能的影响。结果表明,当Bi2O3掺杂量在0.25wt%时,PSN-PZT压电陶瓷具有最优异的电学性能:d33=980 pC/N,kp=0.83,εr=6 855,tanδ=0.04,Tc=150℃。
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