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<正> Di Quarto等对Cu在弱酸性溶液中氧化膜层的光电化学进行了较为广泛的研究.关于Cl-离子的影响,他们认为,在低浓度下([Cl-]≤5×10-2mol·L-1,即质量比0.0029),仅增加Cu 电极的腐蚀速度,而不影响Cu 电极表而氧化层Cu2O 的半导体特性.但尚未见细致的工作报导:Cl-离子浓度究竟达到多大时能对Cu 电极氧化膜层的半导体特性产生影响?我们在弱碱性溶液中逐步添加Cl-,通过在周期性光照（14Hz）下,用锁定放大器测得的光电流iph对E 的关