【摘 要】
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据日本《电子材料》1995年第2期报道，三菱电机公司开发的单片集成放大器，在90GHz下达到世界先进水平：噪声系数3．4dB，增益8．7dB。该产品的技术内容如下：（1）在电容形成后，采用除去仅在晶
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据日本《电子材料》1995年第2期报道，三菱电机公司开发的单片集成放大器，在90GHz下达到世界先进水平：噪声系数3．4dB，增益8．7dB。该产品的技术内容如下：（1）在电容形成后，采用除去仅在晶体管上电介质膜的选择腐蚀技术，在晶体管上形成可靠的保护膜，用单片集成化来控制
According to Japan’s “Electronic Materials” 2, 1995 reported that Mitsubishi Electric Corporation developed a monolithic integrated amplifier, reached the world advanced 90GHz: noise figure 3.4dB, gain 8.7dB. The technical contents of the product are as follows: (1) After the formation of the capacitor, a selective etching technique of removing only the dielectric film on the transistor is used to form a reliable protective film on the transistor, which is controlled by the monolithic integration
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