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研究了多孔硅层孔隙率对其热绝缘性能的影响机制。以p＋型硅片为基底，通过双槽电化学腐蚀法制备多孔硅。采用微拉曼光谱法对多孔硅的热导系数进行了测量，结果表明，多孔硅的热导系数随其孔隙率的增大而明显下降，实验中热导系数最低可达到0．624W／（m·K），从而通过降低热导系数使多孔硅的绝热性能得到了增强。